Samsung Electronics объявляет о производстве и отгрузке 1 млн модулей первой на рынке памяти (D1x) DDR4 (Double Date Rate 4) DRAM, произведенных с использованием технологии EUV (литографии в глубоком ультрафиолете). Модули прошли валидирование крупнейших международных производителей электроники, и теперь компания с их помощью сможет создавать инновационные функциональные узлы с использованием EUV для применения в премиальных ПК, мобильных устройствах, корпоративных серверах и центрах обработки данных.

Samsung первой применила технологию EUV в производстве DRAM-модулей, чтобы преодолеть ограничения по масштабированию этого типа чипов. Литография в глубоком ультрафиолете сокращает количество повторяющихся шагов при создании нескольких шаблонов и повышает точность их формирования. Это обеспечивает повышенную производительность и более высокий выход, а также сокращенное время разработки.

Технология EUV будет полностью развернута в будущих DRAM от Samsung, начиная с четвертого поколения 10-нм класса (D1a) или продвинутого 14-нм класса DRAM. Компания намерена начать серийное производство DDR5 и LPDDR5 на базе D1a в следующем году, что удвоит производительность 12-дюймовых пластин D1x.

В связи с расширением рынка DDR5 / LPDDR5 в 2021 году Samsung продолжит укреплять сотрудничество с ведущими IT-клиентами и поставщиками полупроводников с целью оптимизации стандартных спецификаций, поскольку это ускорит переход к DDR5 / LPDDR5 на всем рынке памяти.

Источник: Пресс-служба компании Samsung

Версия для печати (без изображений)   Все новости